岗位职责：

1. 负责IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片设计与开发工作，含工艺仿真、结构设计、版图绘制，工艺流程制定，检测程序制定；

2. 负责解决芯片设计与开发过程中的关键设计、仿真、工艺等技术问题，进行芯片性能分析及优化，确保研发项目的顺利进行；

3. 根据需求进行产品变更与维护，实验数据的统计分析；

4. 新材料，新器件，新产品技术情报收集与分析.

学历要求：

1.硕士及以上，物理学，微电子，电子工程，电气工程，自动化等相关专业；

能力要求：

1. 5年以上相关工作经验，具有功率器件从设计到量产的完整经验优先；

2. 精通IGBT，MOSFET，FRD等功率器件原理；

3. 熟悉IGBT，MOSFET，FRD等功率器件工艺；

4. 熟悉常见电力电子拓扑；熟悉常见功率器件封装；

5. 熟练使用Sentaurus TCAD或Silvaco TCAD等工具。